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AN1L3N


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1L3N ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AN1L3N
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AN1L3N Datenblatt (jpg):-
AN1L3N Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AA1L3N
Ähnliche Typen:DTA143XS, [mehr]
DTA143XS,KSR2005,UN411F,2SA1654
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AN1L3N


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1L3N ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
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Komplementär Typ:AA1L3N
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DTA143XS,KSR2005,UN411F,2SA1654
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AN1L3N


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1L3N ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AN1L3N Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:AA1L3N
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DTA143XS,KSR2005,UN411F,2SA1654
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

KSR2005


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2005 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2005
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
KSR2005 Datenblatt (jpg):verfügbar
KSR2005 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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KSR2005


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2005 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2005
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Samsung Electronics CO. LTD.
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KSR2005


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2005 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2005
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Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
KSR2005 Datenblatt (jpg):verfügbar
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

UN411F


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN411F ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN411F
OEM:unknown oem
Gehäuse:-
UN411F Datenblatt (jpg):-
UN411F Datenblatt (pdf):-
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UN411F


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN411F ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN411F
OEM:unknown oem
Gehäuse:-
UN411F Datenblatt (jpg):-
UN411F Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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UN411F


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN411F ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN411F
OEM:unknown oem
Gehäuse:-
UN411F Datenblatt (jpg):-
UN411F Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SA1654


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT -
TJ -
der 2SA1654 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1996
Ähnlicher Typ: 2SA1654
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2SA1654 Datenblatt (jpg):-
2SA1654 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SC4361
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AN1L3N,DTA143XS,KSR2005,UN411F
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2SA1654


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT -
TJ -
der 2SA1654 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1996
Ähnlicher Typ: 2SA1654
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
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2SA1654 Datenblatt (pdf):-
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Komplementär Typ:2SC4361
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AN1L3N,DTA143XS,KSR2005,UN411F
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2SA1654


SI PNP Transistor
ähnlich AN1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT -
TJ -
der 2SA1654 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1996
Ähnlicher Typ: 2SA1654
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2SA1654 Datenblatt (jpg):-
2SA1654 Datenblatt (pdf):-
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Komplementär Typ:2SC4361
Ähnliche Typen:AN1L3N, [mehr]
AN1L3N,DTA143XS,KSR2005,UN411F
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